تحسين جديد في أداء Galaxy S26 Ultra بذاكرة RAM الأسرع والأكثر كفاءة

هاتف Galaxy S26 Ultra يعزز الأداء بفضل أحدث تقنيات ذاكرة الوصول العشوائي (RAM)، مما يجعله من بين أفضل الهواتف الذكية في السوق. تمثل هذه التطورات في الذاكرة نقطة تحول أساسية في نوعية الأداء وجودة تجربة المستخدم.

تحسينات ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5X

كما كشف المسرب المعروف Ice Universe، فإن هاتف Galaxy S26 Ultra سيتم تزويده بذاكرة LPDDR5X المتطورة، والتي تتميز بكونها أقل استهلاكًا للطاقة وبسرعة تصل إلى 10.7 جيجابت في الثانية. تم تصنيع هذه الذاكرة بواسطة شركة Micron، وهي تمثل تطورًا ملحوظًا بالمقارنة مع الجيل السابق، هاتف Galaxy S25 Ultra الذي استخدم ذاكرة LPDDR5X بتقنية 1β (1-beta) بسرعة 9.6 جيجابت في الثانية.

تقنية 1γ: الأداء والكفاءة الأمثل

يعتمد هاتف Galaxy S26 Ultra على تقنية ذاكرة 1γ (1-gamma) الفريدة من Micron، والتي تعد الأسرع في السوق. هذه التقنية تجعل الهاتف مثاليًا لتطبيقات الذكاء الاصطناعي والمهام التي تتطلب كميات ضخمة من البيانات. بالإضافة إلى ذلك، فإن ذاكرة 1γ تحقق وفراً في استهلاك الطاقة يبلغ حوالي 20% مقارنة بالجيل السابق 1-beta، مما يسهم في تعزيز عمر البطارية. مع حجمها الصغير الذي يصل إلى 0.61 ملم، فإن هذه الذاكرة تتيح المجال لتضمين مكونات أهم، مثل مستشعر كاميرا أكبر أو بطارية ذات سعة أكبر.

نظرة على البدائل والتحديات السابقة

قد تلجأ سامسونغ أيضًا إلى استخدام ذواكر LPDDR5X التي قامت بتطويرها بنفسها، والتي تتيح سرعة 10.7 جيجابت في الثانية وتستخدم تقنية تصنيع 12 نانومتر. هذه الذاكرة تعزز الأداء وتوفر كفاءة أعلى مقارنة بالأجيال السابقة. في العام الماضي، واجهت سامسونغ تحديات متعلقة بارتفاع حرارة بعض المكونات، مما أجبرها على استخدام ذواكر Micron في 60% من أجهزة Galaxy S25. بينما أكدت الشركة على معالجة هذه المشاكل، تقارير شهر يونيو الماضي ذكرت استمرارية الاختبارات على ذواكر Micron ضمن سلسلة Galaxy S26.

بجانب بابتكارات الذاكرة، يتوقع أن يأتي هاتف Galaxy S26 Ultra بتصميم جديد وهيكل أنحف، مما يمنحه مظهراً عصريًا وأكثر قوة. هذا التصميم المطور سيسهم في استمرار نجاح سلسلة Galaxy S بعد الأداء المميز الذي حققه Galaxy S25.